Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

13496.1;6 PFFLE-NM

Titre du projet

Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology

Titre du projet anglais

Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology

Participants
Office fédéral/ Unité administrative	Innosuisse Agence suisse pour l'encouragement de l'innovation Einsteinstrasse 2 CH-3003 Bern +41 58 461 61 61 (Central) info@innosuisse.ch www.innosuisse.ch/

Personne à contacter

Dr.
Alexander Duncan
EPFL
MXC 132 station 12
CH-1015 Lausanne
041 216 935 323
duncan.alexander@epfl.ch

Participants