Die Wechselrichtertopologie „Doppelwechselrichter“ (DI) in Kombination mit Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs, die für die Anwendung von industriellen Antrieben im kW-Leistungsbereich gesteuert werden. Einerseits tragen SiC-MOSFETs zu einer höheren Effizienz bei. Im Vergleich zur Standardtopologie bietet der DI zusätzlich den Vorteil, dass die Stromwelligkeit und die entsprechenden Verluste im Motor erheblich reduziert werden, wenn er als 3-Level-Wechselrichter betrieben wird. Die Effizienz von DI + Filter + Motor ist vergleichbar mit der eines 3-Level-Wandlers, aber die Steuerung ist wohl komplexer und die Hardware-Einrichtung einfacher. In diesem Projekt soll untersucht werden, wie ein DI so konzipiert und betrieben werden kann, dass diese Erwartungen erfüllt werden. Der DI-Prototyp soll mit anderen Wechselrichtertopologien verglichen werden, z. B. mit Zwei- und Dreipunkt-Wechselrichtern. Ziel ist es, die Gesamteffizienz und die elektromagnetische Verträglichkeit zu bewerten.