Im Rahmen dieses Projekts werden neue Methoden zur Verbesserung der Zuverlässigkeit von SiC-Leistungshalbleitern entwickelt. Dank seiner überlegenen Eigenschaften ersetzt SiC bei energieeffizienteren Leistungsumwandlungsprodukten zunehmend Si. Trotz seines erfolgreichen Markteintritts müssen noch mehrere Probleme gelöst werden, um sein volles Potenzial auszuschöpfen. Eine kritische Herausforderung für SiC ist das Gate-Oxid. Defekte an der Grenzfläche können sich negativ auf die Leistung und Zuverlässigkeit der Bauteile auswirken. Ziel dieses Projekts ist es, die erforderlichen fortgeschrittenen Zuverlässigkeitsprüfmethoden für SiC-MOSFETs zu entwickeln, die ihre Kritikalität unter realistischen Einsatzprofilen untersuchen. Das Projekt wird Testkampagnen und ein Benchmarking verschiedener SiC-MOSFET-Technologien umfassen, einschließlich eines Vergleichs zwischen modernsten SiO2- und High-k-basierten SiC-MOSFETs. Der Erfolg dieses Projekts wird der SiC-Forschungsgemeinschaft dabei helfen, die erfolgreiche Einführung von SiC in unternehmenskritischen industriellen Motorantrieben, bei der Erzeugung erneuerbarer Energien und bei Anwendungen zur Verbesserung der Stromqualität zu beschleunigen. Die Erfahrungen und Ergebnisse werden in einem „White Paper“ zusammengefasst und verbreitet, in dem erklärt wird, was zu beachten ist, um eine hohe Zuverlässigkeit im SiC-Bereich zu gewährleisten.
