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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
51090.1 IP-EE
Projekttitel
Next generAtion SiC Power electronIcs foR E-mobility (ASPIRE)
Projekttitel Englisch
Next generAtion SiC Power electronIcs foR E-mobility (ASPIRE)

Texte zu diesem Projekt
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Erfasste Texte


KategorieText
Kurzbeschreibung
(Deutsch)
Next generAtion SiC Power electronIcs foR E-mobility (ASPIRE)
Kurzbeschreibung
(Englisch)
Next generAtion SiC Power electronIcs foR E-mobility (ASPIRE)
Abstract
(Deutsch)
ASPIRE aims at demonstrating 4H-SiC vertical power MOSFETs with improved performances in terms of on-state resistance and reliability by deploying the next generation of high-k gate stacks and interfaces via multilayer dielectrics and plasma treatments produced via large-scale proven processes.