Silicon Processing by Light Initiated Microwave Melting

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Numéro de projet

16217.1;4 PFIW-IW

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Silicon Processing by Light Initiated Microwave Melting

Titre du projet anglais

Silicon Processing by Light Initiated Microwave Melting

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Description succincte (Anglais)	Silicon Processing by Light Initiated Microwave Melting
Résumé des résultats (Abstract) (Anglais)	The project is a feasibility study of a novel Si processing method for potential wafering applications. The innovation lies in illuminating Si powder with specific light initiating efficient microwave coupling in a thermal radiation reflective environment. In PV, this cost-effective and energy-friendly technology will simplify the wafering by less processing steps, energy consumption and production cost with better control on the wafer thickness, size, shape, and quality.

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Texte

Description succincte
(Anglais)

Silicon Processing by Light Initiated Microwave Melting

Résumé des résultats (Abstract)
(Anglais)

The project is a feasibility study of a novel Si processing method for potential wafering applications. The innovation lies in illuminating Si powder with specific light initiating efficient microwave coupling in a thermal radiation reflective environment. In PV, this cost-effective and energy-friendly technology will simplify the wafering by less processing steps, energy consumption and production cost with better control on the wafer thickness, size, shape, and quality.