Fully-CMOS-Integrated High Pressure Sensor Based on New Materials

• Unité de recherche: INNOSUISSE
• Numéro de projet: 13650.1;7 PFFLE-NM
• Titre du projet anglais: Fully-CMOS-Integrated High Pressure Sensor Based on New Materials

Description succincte (Allemand)

Hochdrucksensor mit neuen Materialien und CMOS-integrierter Elektronik

Description succincte (Anglais)

Fully-CMOS-Integrated High Pressure Sensor Based on New Materials

Résumé des résultats (Abstract) (Allemand)

Ein völlig neuartiger Drucksensor für Hochdruckanwendungen kann durch konsequente Integration kürzlich entwickelter Sensorelemente und elektronischer CMOS Bausteine (ASIC) hergestellt und auf den Markt gebracht werden. Jährliche Umsätze von bis zu 7 M CHF können nach 3-5 Jahren erzielt werden. Notwendig für das Produkt ist die Entwicklung eines geeigneten Packaging Konzepts auf Basis eines Stahlsubstrates, das Verständnis des hierfür notwendigen Verbundmaterials und eine optimierte Fügeverbindung Glas-Metall. Das Projekt zielt darauf ab, die gesamte Qualifizierung und Industrialisierung dieses robusten Sensors zu realisieren.