Titel
Accueil
Navigation principale
Contenu
Recherche
Aide
Fonte
Standard
Gras
Identifiant
Interrompre la session?
Une session sous le nom de
InternetUser
est en cours.
Souhaitez-vous vraiment vous déconnecter?
Interrompre la session?
Une session sous le nom de
InternetUser
est en cours.
Souhaitez-vous vraiment vous déconnecter?
Accueil
Plus de données
Partenaires
Aide
Mentions légales
D
F
E
La recherche est en cours.
Interrompre la recherche
Recherche de projets
Projet actuel
Projets récents
Graphiques
Identifiant
Titel
Titel
Unité de recherche
INNOSUISSE
Numéro de projet
6756.2;8 EPRP-IW
Titre du projet
Diamond reinforced metal matrix composites for heat sink applications
Titre du projet anglais
Diamond reinforced metal matrix composites for heat sink applications
Données de base
Textes
Participants
Titel
Textes relatifs à ce projet
Allemand
Français
Italien
Anglais
Description succincte
-
-
Résumé des résultats (Abstract)
-
-
-
Textes saisis
Catégorie
Texte
Description succincte
(Allemand)
Diamond reinforced silver and copper matrix composite materials for heat sink applications
Description succincte
(Anglais)
Diamond reinforced metal matrix composites for heat sink applications
Résumé des résultats (Abstract)
(Anglais)
High energy dissipation rates in semiconductors set stringent conditions on the substrate on which the semiconductor is mounted. Properties required are a high thermal conductivity (>300 W/mK) and a low coefficient of thermal expansion (CTE) of 4-8 ppm/K. While there is no monolithic material with this combination of physical properties, composite materials may fulfil the requirements. Classical composites used in this kind of situation are Al-SiC and Cu-Mo or Cu-W composites. Preliminary research has shown that diamond particles combined with Al-, Ag-, and Cu-based matrices have high potential to improve the performance of these substrates in terms of thermal conductivity by a factor of 3-4 while improving also on the match with the CTE of the semiconductor. This allows running the semiconductor at higher power throughput or at a given power at lower temperature. The goal of this project is to develop a production process for such composites that meets the economic boundary conditions of the high power semiconductor market
SEFRI
- Einsteinstrasse 2 - 3003 Berne -
Mentions légales