Kühlbare 'Low Noise High Electron Mobility Transistor'Verstärker

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

2095.1;1 MJK

Titre du projet

Kühlbare 'Low Noise High Electron Mobility Transistor'Verstärker

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.10.1990
Date de fin	18.08.1994

Coûts totaux approuvés	245'840.00 CHF
Domaine	7 Crédit pluriannuel
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Production et technologie industrielles

Disciplines/domaines	100 % T170 Electronique

Dernière modification du projet 27.11.2014