New designs and technologies of high power semiconductor devices

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

1595.1;1 MJK

Titre du projet

New designs and technologies of high power semiconductor devices

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.01.1987
Date de fin	02.02.1990

Coûts totaux approuvés	356'500.00 CHF
Domaine	7 Crédit pluriannuel
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Production et technologie industrielles

Disciplines/domaines	100 % Pas encore déterminé

Dernière modification du projet 27.11.2014