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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
1595.1;1 MJK
Projekttitel
New designs and technologies of high power semiconductor devices
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 01.01.1987
Endedatum 02.02.1990
 
Gesamtkosten bewilligt 356'500.00  CHF
Bereich 7 Mehrjahreskredit
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Industrielle Produktivität und Technologie
 
Fachbereiche
100 % Noch nicht erfasst
Letzte Änderung Projekt
27.11.2014