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Unité de recherche
INNOSUISSE
Numéro de projet
25716.2 PFNM-NM
Titre du projet
High-temperature pressure sensor with metal oxynitride thin film system (HTMOS)
Titre du projet anglais
High-temperature pressure sensor with metal oxynitride thin film system (HTMOS)
Etat du projet Terminé
 
Date de début 01.06.2017
Date de fin 01.01.2019
 
Coûts totaux approuvés 172'769.00  CHF
Domaine 22 Förderbereich Nano / Micro
Catégorie de projet Projet
Type de recherche Recherche appliquée et développement
Code NABS Production et technologie industrielles
 
Disciplines/domaines
100 % T171 Microélectronique
Dernière modification du projet