A new low ion energy bombardment PECVD reactor for the deposition of thin film silicon for solar cell applications

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

13271.1;8 PFIW-IW

Titre du projet

A new low ion energy bombardment PECVD reactor for the deposition of thin film silicon for solar cell applications

Titre du projet anglais

A new low ion energy bombardment PECVD reactor for the deposition of thin film silicon for solar cell applications

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.01.2012
Date de fin	02.07.2013

Coûts totaux approuvés	112'029.00 CHF
Domaine	23 Förderbereich Engineering
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Recherches non ventilées / non attribuables

Disciplines/domaines	100 % T130 Technologie de la production

Dernière modification du projet 27.11.2014