Local electrical defects in insulating layers on silicon

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

3629.1;2 MIE

Titre du projet

Local electrical defects in insulating layers on silicon

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.02.1998
Date de fin	26.01.2004

Coûts totaux approuvés	247'000.00 CHF
Domaine	8 Micro-électronique
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Production et technologie industrielles

Disciplines/domaines	100 % Pas encore déterminé

Dernière modification du projet 27.11.2014