Exakte Simulation der Ladungsträgererzeugung in opto-elektronischen Halbleiterbauelementen

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

3193.1;3 KTS

Titre du projet

Exakte Simulation der Ladungsträgererzeugung in opto-elektronischen Halbleiterbauelementen

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.04.1996
Date de fin	06.08.2004

Coûts totaux approuvés	284'900.00 CHF
Domaine	5 CTI
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Production et technologie industrielles

Disciplines/domaines	100 % Pas encore déterminé

Dernière modification du projet 27.11.2014