Diodes for Fast Switching High Power, High Voltage Semiconductor Switches

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

3181.1;3 KTS

Titre du projet

Diodes for Fast Switching High Power, High Voltage Semiconductor Switches

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.04.1996
Date de fin	19.12.2002

Coûts totaux approuvés	208'350.00 CHF
Domaine	5 CTI
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Production et technologie industrielles

Disciplines/domaines	100 % T170 Electronique

Dernière modification du projet 27.11.2014