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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
3181.1;3 KTS
Projekttitel
Diodes for Fast Switching High Power, High Voltage Semiconductor Switches
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 01.04.1996
Endedatum 19.12.2002
 
Gesamtkosten bewilligt 208'350.00  CHF
Bereich 5 KTI
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Industrielle Produktivität und Technologie
 
Fachbereiche
100 % T170 Elektronik
Letzte Änderung Projekt
27.11.2014