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Research unit
INNOSUISSE
Project number
1997.1;1 MJK
Project title
MOS-Technologie für Leistungshalbleiter

Participants

Research organisation: Innosuisse
Swiss Innovation Agency
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Call Center)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Contact person

 Prof. Dr.
Henry Baltes
ETH Zürich
ETH-Hönggerberg, HPT H6
CH-8093 Zürich
01 633 2090