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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
1997.1;1 MJK
Projekttitel
MOS-Technologie für Leistungshalbleiter

Beteiligte
Bundesstelle/ Verwaltungseinheit Innosuisse
Schweizerische Agentur
für Innovationsförderung
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Zentrale)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Kontaktperson

 Prof. Dr.
Henry Baltes
ETH Zürich
ETH-Hönggerberg, HPT H6
CH-8093 Zürich
01 633 2090