Very fast SiOx barrier deposition on polymers by plasma enhanced chemical vapor (PECVD) process with a helicon plasma source

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

9896.2;4 PFIW-IW

Titre du projet

Very fast SiOx barrier deposition on polymers by plasma enhanced chemical vapor (PECVD) process with a helicon plasma source

Titre du projet anglais

Very fast SiOx barrier deposition on polymers by plasma enhanced chemical vapor (PECVD) process with a helicon plasma source

Participants
Office fédéral/ Unité administrative	Innosuisse Agence suisse pour l'encouragement de l'innovation Einsteinstrasse 2 CH-3003 Bern +41 58 461 61 61 (Central) info@innosuisse.ch www.innosuisse.ch/

Personne à contacter

Dr.
Christoph Hollenstein
EPFL
Station 13
CH-1015 Lausanne
021 693 34 71
christophe.hollenstein@epfl.ch

Participants